高深宽比通孔的种子层连续性，从电源端开始保障
玻璃通孔（TGV）正成为先进封装、射频器件与玻璃基板的核心互连技术。在绝缘的玻璃基板上制备高深宽比（AR 10:1以上）通孔并沉积薄而连续的导电种子层，是整个工艺链条中最具挑战性的环节之一。
HiPIMS的高金属离化率与定向离子通量，配合同步脉冲偏压对离子能量的精确调控，为高深宽比孔壁的种子层覆盖率提供了物理上的最优解。精新电源的HiPIMS与偏压电源支持光纤级脉冲同步，时序窗口可精确到微秒级。
您面临的挑战
- 高深宽比通孔的侧壁与底部种子层覆盖不连续，导致电镀填孔时出现空洞、缝隙甚至断路，直接决定互连良率。
- 玻璃是绝缘基材，无法像硅片一样直接施加直流偏压，偏压耦合与膜层电位控制成为工艺的核心难题。
- 金属粘附层（Ti/Cu）时的打弧问题，会直接破坏超薄种子层（50~100nm）的连续性与纯度。
- 玻璃基板的热导率低、无塑性变形能力，电弧灼伤与热应力导致的微裂纹是良率的隐形杀手。
我们的解决方案与优势
- JX-HiPIMS电源峰值功率可达4MW、峰值电流2000A，高金属离化率显著提升玻璃表面的形核密度，使种子层在更薄的厚度下即可保持完全连续。
- JX-MSB偏压电源频率最高150kHz、占空比5%~95%连续可调，可与HiPIMS脉冲实现微秒级同步——在绝缘基材上，时序同步的脉冲偏压是调控到达离子的种类与能量的关键手段。
- 业内独创的电弧全生命周期管理机制，弧能量控制在0.2mJ/KW以内，确保脆弱的种子层与玻璃基板在工艺全程免遭电弧损伤。
- 恒功率输出特性在等离子体负载剧烈变化时维持溅射通量稳定，直接决定孔内膜厚的批次一致性。功率因数校正与领先的电源效率控制大规模产线的能源成本。
