重点产品
行业领先的等离子体电源,为您的工艺提供坚实后盾。
HiPIMS电源
磁控溅射电源
高稳定度电源
偏压电源
离子注入电源
磁场控制电源
等离子弧电源
离子束电源
HiPIMS高功率脉冲磁控溅射电源

HiPIMS高功率脉冲磁控溅射电源被广泛应用于各类PVD工艺,用来制备高端金属装饰膜,功能膜和类金刚石(DLC)膜层等。相较于中频磁控溅射电源,HiPIMS有着离化率高,绕镀性好,膜层致密性好,成膜色泽优异等特点。HiPIMS最典型的应用包括对膜层致密性要求高的各类功能膜和硬质膜,iPhone的玫瑰金手机壳,高端手表表壳等。

行业领先的精新HiPIMS电源作为可对标德国霍廷格(TRUMPF Hüttinger)同类型电源的产品,已为国内十多家真空镀膜客户提供了优质服务,广受好评。

磁控溅射电源

精新电源提供国内领先的多种规格的磁控溅射电源,包括中频磁控溅射电源、非对称脉冲磁控溅射电源等,可广泛适用于各类离子镀膜PVD工艺。

在最佳等离子体工作区域内,精新磁控溅射电源的载荷能力(荷靶数量)是国内同功率电源的3倍,国外同功率电源的1.5倍。可同时驱动三个单极磁控靶或者三对孪生磁控靶

同时,精新磁控溅射电源拥有同行业首创的微分弧检测,本质弧抑制和四象限弧能量释放管理技术,确保工件在沉积过程中免遭弧损伤

粒子加速器高稳定度磁铁电源

精新电源有着十多年粒子加速器电源研发经验,多次成为多项国家大科学工程电源供应商

曾参与的国家大科学工程项目包括正负电子对撞机(中科院高能物理研究所)、全国唯一一台重离子加速器(中科院近代物理研究所)、第三代同步光源(中科院上海应用物理研究所)等。

精新加速器电源稳定度可达99.999%(10的-5次方),国际领先

偏压电源

偏压电源在真空离子镀膜工艺中对膜层质量起着至关重要的作用,偏压可显著提升沉积速率、提升膜层与工件的结合力、增加膜层致密性

精新偏压电源可运行于等离子清洗、刻蚀和偏压三种不同的功能模式,适用于等离子体薄膜沉积工艺中的不同流程。

同时,精新偏压电源拥有同行业首创的微分弧检测,本质弧抑制和四象限弧能量释放管理技术,确保工件在沉积过程中免遭弧损伤

离子注入电源

离子注入是现代半导体制备与微电子工艺中不可或缺的重要步骤。离子注入电源的好坏直接决定了最终成品的质量

精新电源依托十多年在国家大科学工程粒子加速器中积累的经验,沉淀出了数款不同规格的离子注入电源供工业级用户选用,可完美适配市面上广大的离子注入设备。

磁场控制电源

长久以来在PVD工艺中,因为无法对腔体内的磁场进行动态控制,导致靶材的利用率比较低,镀出的膜层也不够均匀。

精新电源拥有国内首创的磁场控制电源,包括三角波电源、磁场扫描电源等,可以灵活动态的在工艺过程中调整腔体内的磁场,解决PVD工艺流程中遇到的各类磁场相关的问题。

等离子弧电源

多弧离子镀是现代PVD工艺中最为成熟的工艺之一。

精新电源出产的等离子弧电源在传统的弧电源基础上,通过独创的延面击穿方式引弧,克服了传统蒸发镀工艺中需要使用钨丝等材料引弧而对膜层造成污染等问题。

精新多弧离子镀电源拥有同行业领先的电源效率,最高电源效率可达92.6%,大幅减少工艺的能源消耗成本。

离子束电源

离子束电源适用于各类特种金属蒸发镀工艺。其可以使特种金属材料快速升温,使其面状蒸发,制备出的膜层洁净均匀

精新离子束电源提供多种波形与宽广的功率域供用户选择,可适应多种不同的工艺与需求。

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核心技术
为不同行业提供薄膜沉积、离子注入与材料改性解决方案
1996
年*
公司成立
23
深耕等离子技术
30
电源设备技术经验
68
合作客户单位
公司概况

上海/苏州精新汇能电源科技有限公司全面承接兰州精新电源设备有限公司20+年的技术积累、产品研发和商业资源,是多个重大科研项目的唯一等离子电源供应商。公司先后承担中科院近代物理所“重离子加速器”、中科院高能所“正负电子对撞机”、中科院应用物理所“第三代同步光源加速器”、中科院等离子所“托卡马克”磁约束核聚变装置等国家大科学工程。

公司拥有多个国家自主知识产权,聚焦工业和科研场景,已为数十个国内头部企业和科研单位提供数百台材料表面处理电源

公司核心团队来自美国卡耐基梅隆大学、多伦多大学、华中科技大学、吉林大学和中科院等,拥有数十年国家科研单位使用的等离子体电源的研发经验。

*兰州精新电源设备有限公司成立于1996年

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